SK海力士VFO工艺打造HBS技术，为移动设备AI性能提升带来新突破
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SK海力士VFO工艺打造HBS技术，为移动设备AI性能提升带来新突破
据闪德资讯获悉，SK海力士正在研发结合移动DRAM和NAND的高带宽存储（HBS）技术，可提高智能手机和平板电脑等移动设备的AI性能。 相比HBM使用的硅通孔（TSV）技术，VFO无需穿孔，成本更低、良率更高…
据闪德资讯获悉，SK海力士正在研发结合移动DRAM和NAND的高带宽存储（HBS）技术，可提高智能手机和平板电脑等移动设备的AI性能。 相比HBM使用的硅通孔（TSV）技术，VFO无需穿孔，成本更低、良率更高…
