据媒体报道，SK海力士计划将2026年向英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM4）出货量，较原计划下调约20%至30%。

快科技2月23日消息，近日，全球存储三巨头之一的SK海力士在高盛电话会议上明确表态，全球存储器产业已彻底转向卖方市场，2026年存储芯片价格涨势将贯穿全年。 SK海力士指出，供需失衡核心有两点：一是AI大模型…

快科技2月22日消息 据媒体报道，近日，SK海力士在高盛的电话会议上，发布对存储行业及公司经营的最新观点。该公司明确表示：“全球存储器产业已彻底转向卖方市场，2026年价格涨势将贯穿全年。” SK海力士将发…

AI需求激增与供应受限，SK海力士预测内存价格2026年或延续涨势

SK海力士宣布库存见底 存储芯片正式进入卖方市场

据韩媒 ZDNet Korea 报道，高带宽内存（HBM）的量产节奏正在被重新改写。传统半导体产品一般都是先用样品完成客户的质量认证测试，通过之后才进入正式量产，但在 HBM 供应链上，为了紧跟核心客户需求，厂商开始在认证结束前就提前投产。

SK 海力士今日（1 月 28 日）发布截至 2025 年 12 月 31 日的 2025 财年及第四季度财务报告：

在全球内存需求因 AI 快速扩张而持续升温之际，SK 海力士决定加快产能释放节奏。北京时间今天早间，路透社援引 SK 海力士一名高管消息称，公司计划将一座新工厂的投产时间提前 3 个月，并计划于 2 月启用另一座新建晶圆厂。

作为英伟达高带宽存储（HBM）产品的主要供应商，SK海力士（SK Hynix）计划斥资130亿美元在韩国建造一座芯片封装厂，以应对人工智能芯片需求的激增。

当地时间12月16日，SK海力士高管在面向投资者的会议中明确指出，当前由人工智能热潮驱动的DRAM芯片紧缺状况预计将持续至2028年，这一预测比瑞银此前预计的2027年一季度更为严峻。SK海

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LS Securities分析师Yongho Cha在一份报告中写道，受半导体价格上涨影响，SK海力士料将公布超预期的第四季度业绩。

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三星电子DRAM三季度销售额达139.42亿美元 反超SK海力士重登榜首

据闪德资讯获悉，SK海力士正在研发结合移动DRAM和NAND的高带宽存储（HBS）技术，可提高智能手机和平板电脑等移动设备的AI性能。 相比HBM使用的硅通孔（TSV）技术，VFO无需穿孔，成本更低、良率更高…