海力士
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SK 海力士十月量产12Hi HBM4,助力英伟达新GPU问世?
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SK海力士一季度业绩大增,美国市场占比高达72%,中国市场占比下滑
SK海力士一季度业绩大增,美国市场占比高达72%,中国市场占比下滑
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SK海力士遇难题?内存EUV光刻成本飙升!
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。 Seo Jae-Wook表示,利用 VG 或 3D DRAM 结构,能将内存的 EUV…
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SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力
·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录·通过采用台积电的先进制程工艺,提升HBM4产品性能·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式,突破
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三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启
根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。Omdia在报告中指出,三星电子已将今年第二
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SK海力士CEO郭鲁正:今年HBM销售占比将达两位数,中国工厂将升级至1a nm制程
【ITBEAR科技资讯】3月28日消息,SK海力士CEO郭鲁正在昨日的年度股东大会上透露,今年高性能内存HBM在公司的整体DRAM内存销售中将占据重要位置,其占比预计将达到两位数。尽管当前HBM供应情况紧张,但郭鲁正对明年的市场前景表示乐观。针对去年公司出现9万亿韩元净亏损
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SK海力士HBM3E超高性能AI内存产品正式量产,全球供货启动
【ITBEAR科技资讯】3月19日消息,SK海力士近日宣布,其最新研发的超高性能AI内存产品HBM3E已开始正式投入量产,并计划从本月下旬开始向全球客户供货。这一重要进展距离去年8月公司宣布开发该产品仅过去了7个月,显示了SK海力士在半导体技术领域的强大实力和高效执行力。
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铠侠提议与SK海力士共享产能,旨在推动与西部数据合并计划
【ITBEAR科技资讯】2月18日消息,日本3D NAND闪存制造商铠侠(Kioxia)近日向韩国竞争对手SK海力士(SK Hynix)提出了一项颇具新意的合作建议。据路透社援引日本共同社的报道,铠侠提议允许SK海力士在其位于日本的工厂内生产非易失性存储器。此举旨在缓解两家公司在3D NAND
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三星电子和SK海力士将投资4710亿美元到2047年建设16座芯片厂
据韩国产业部声明,韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群,该计划将由三星电子和SK海力士主导,预计到2047年将投资总计622万亿韩元,建立16座芯片工厂
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英伟达、英特尔、SK海力士等将放大招!
全球最大消费电子展(CES)将于今年1月9日在美国拉斯维加斯举办,业界表示去年此时ChatGPT引发的AI浪潮尚未席卷全球,因此CES 2023上AI话题热度有限。经过2023年一整
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2023年第三季度DRAM产业营收增长18%
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SK 海力士发布移动存储新巅峰,LPDDR5T 16GB产品震撼亮相!
【ITBEAR科技资讯】11月13日消息,SK 海力士今日正式发布了LPDDR5T的16GB产品,标志着移动DRAM领域迎来了传输速度巅峰。这一产品以惊人的9.6Gbps传输速度脱颖而出。LPDDR(低功耗双倍数据速率)是专为智能手机和平板电脑等移动端产品设计的DRAM规格,其独特之处在于以最小
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SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证
完成与高通最新移动处理器的兼容性验证,正式开始向客户提供产品“将通过加强与高通的合作,实现智能手机发展为AI时代的核心应用。”2023年10月25日 – SK海力士25日
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LPDDR5T内存峰值速度可达9.6Gbps 或在vivo X100中首发
海力士,LPDDR5T内存" name="keywords" />
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SK海力士与联发科完成LPDDR5T验证
8月10日,SK海力士宣布LPDDR5T已完成与联发科下一代移动AP的应用性能验证。SK海力士表示,LPDDR5T于2023年1月开发,实现了9.6gb/秒(Gbps)的运行速度。今年2月SK海力




